1.什么是量子点：其光学原理
具备多个纳米技术到数十纳米尺寸的有机化合物半导体材料，金属氧化物半导体材料的尘粒称作量子点。
根据互换深蓝色LED传出的光波长，可获得所想要的光波长。越发小的量子点就能转化成越少的光波长，越发大的量子点就能转化成越长的光波长。
单独的量子点根据消化吸收短光波长的光，释放出较为长光波长的窄光谱仪光。
根据制取并集满尺寸一样的量子点，可得到色纯净度高，光谱仪锋利的发亮淡粉色，可完成并提升颜色的重现性，减少电力工程耗费。
2.量子点：LCD和各企业的业内趋势
量子点技术性会让LCD（液晶显示屏）在开阔的颜色行业得到完成，是4K等级界面信息内容的理想化技术性。
可大幅提高界面影象的颜色重现性，颜色度，总体的光亮度等，与前期的LCD对比，颜色表明工作能力高于50％的优异度。与 OLED对比，具有同样以上的颜色重现工作能力。
各种液晶显示屏生产商逐渐选用该技术性。
LG：在2015年1月发布了相匹配4K工艺的电视剧商品，并逐渐扩张相匹配。
三星电子：在2015年1月发布了新式电视机「SUHD电视」。
TCL、海信集团（Hisense）：在2014年9月发布了量子点电视。
3.量子点技术性塑料薄膜
量子点技术性现阶段面对的课题研究无非防隔热保温、抗氧化、防潮分的危害，避免其为此而劣变。
隔热防范措施：选用塑料薄膜方式，与发热原的LED光源设置必需间距。
抗氧化-水份防范措施：选用水蒸气高阻隔膜开展断球式封装形式。
量子点塑料薄膜的组成
将量子点分散化在复合树脂上，分散化并开展脉冲阻尼器化，并且用2张水蒸气高阻隔膜（之后通称“高阻隔膜”）对它进行断球封装形式。
在偏光片上另附量子点膜。
由于其样子为塑料薄膜，可以简易完成从微型到大中型幅宽大容量界面。
量子点塑料薄膜产品的事例
英国3M企业的Quantum Dot Enhancement Film（ 3M QDEF ）
4.量子点常用高阻隔膜的必备条件
面对量子点塑料薄膜量常用高阻隔膜的关键点
规格
务必具有液晶显示屏的规格规定。在50″时要有625mm以上的膜宽，在100M″时要有1250mm以上的膜宽。
阻隔性
做为WVTR指标值，务必具有10-1～10-3等级(g/m2/day)的隔绝工作能力。依据量子点的差异而不一样。
业界应用MOCON企业的Aquatran剖析设备可对高阻隔性开展精确测量。
电子光学特点
做为高阻隔膜，面对液晶显示屏的塑料薄膜务必要具有全光源透过率90%以上，Haze和b*要在1下列。
弯折特点
并不是可弯折显示器常用，弯折特点并不是十分受高度重视。但一定要能承担其在生产环节中的弯折加工工艺。
5.高组膈膜的镀膜必备条件
镀膜必要条件
板材
基材务必具有表层平整度，电子光学特点，可承担镀膜的耐心。
一般情形下应用表层附加作用施胶层的PET板材。
镀膜加工工艺
可便宜制取可持续镀膜的真空泵卷对卷加工工艺。
板材卷1卷长短数千米，因此一定要有能平稳镀膜长规格板材的镀膜加工工艺。在沒有电子光学问题造成的范畴内，务必确保总宽方位的膜厚均一性。因阻隔性的需求在通常隔绝水准以上，膜厚均一性在原来并不做规定。
镀膜方式分成低温等离子CVD和磁控溅射2种。
应用磁控溅射镀的组膈膜，是无机膜，根据对塑料薄膜的弯折随着膜自身的裂开会导致膜的阻隔性恶变的风险性。
低温等离子CVD的组膈膜，是无机膜和有机膜的混和，有机膜的出现使其没了塑料薄膜因裂开而促使阻隔性恶变的风险性。
除此之外，用磁控溅镀做成的塑料薄膜，因需应用磁控溅镀靶材开展镀膜导致生产制造时的运作成本费要高过低温等离子CVD。
膜种
充分考虑电子光学特点，一般应用Si系列产品的膜。
单面膜结构工程，因SiO系的电子光学性折光率低，折射率贴近于板材因此被提议应用。SiN系在阻隔性・弯折性上主要表现优异，但因折光率高促使光源通过变成难点。
双层膜结构工程，在阻隔性、弯折性层面提议应用。与此同时，从故有的生产制造方式开展生产制造得话成本费有昂贵的趋向。
原料
提议应用安全性，质优价廉的原材料。Si系镀膜里边，SiH4是具备起火特性的汽体，安全工作不充足得话，会产生安全事故。了解到SiH4危险因素的化学系生产厂家都考虑到提议应用HMDSO这类安全性，便宜的汽体原材料。
6.隔绝膜生产商的趋势
日本的动向
有的公司引入具备成本费竞争能力优点的低温等离子CVD倒丝机镀，有的公司将已项目投资结束的磁控溅射倒丝机镀机开展活用。
CVD
面对高阻隔膜的CVD倒丝机镀膜机器设备，有神户制钢所KOBELCO的W60C系列产品，W35C系列，在公司（化学系生产商、总程类的生产厂家）、科学研究机关单位、高校之中被普遍应用。神户制钢所KOBELCO之外的设备生产商尽管也是有汇报表明开发设计通主要用途的机器设备，但其并未有批量生产机器设备的生产制造销售业绩。
磁控溅射
抱有磁控溅镀倒丝机机器设备面对ITO导电膜项目投资的企业因ITO导电膜销售市场不景气，生产设备生产能力发生富有，将富裕出的磁控溅镀的生产能力用于生产制造隔绝膜。尽管传输辊在不断镀膜的与此同时，和镀膜面触碰，但未导致膜的质量问题。
除此之外，有只高度重视性能卓越，忽视成本费，制做试品膜的企业，也是有追求完美控制成本而应用并刻苦钻研蒸镀加工工艺的公司这些，科学研究研发的标准十分开阔。
7.基本含义上的CVD技术性的优势和不够
优势，便是和磁控溅射加工工艺对比，成本费上具有竞争能力。
其原因是：
镀膜原材料质优价廉
低温等离子CVD的镀膜是以原材料立即转化成膜化学物质。磁控溅射加工工艺得话，是先将所需原材料制成磁控溅射靶材，再从磁控溅射靶上边转化成需要的膜化学物质，加工工艺流程繁杂，促使磁控溅射靶材的厂商将费用和其获得的盈利转嫁给在商品自身。
机器设备经营成本便宜
在总产量同样的设备情形下，单一镀膜源的镀膜速率更快（约5倍），为完成同样的生产经营性，机器设备商的镀膜源的总数小量化分析，机器设备的规格微型化，组成更精减。
存在的不足：产生箱体环境污染
在对向电级上粘附了产生的膜化学物质，清理起來很费功夫。在解决长卷膜的情况下电流电压比产生变化，加工工艺标准随着产生变化，箱体环境污染的产生，会发生隔绝膜的质量欠佳。
总宽方位的总需求，RF放些、微波加热充放电等，会对总宽方位的转化成匀称性的低温等离子组成难度很大。
8.量子点常用高阻隔膜的主要用途
软性太阳能电池板规定和量子点常用隔绝膜等同于的阻隔性。软性OLED规定超出量子点常用隔绝膜的阻隔性。
