光电子薄膜分为:导电薄膜(金属导电膜、透明导电ITO薄膜);光电导薄膜(CdS与CdSe薄膜、α-Si:H薄膜);电致发光薄膜(ZnS:Mn薄膜、有机电致发光薄膜);电致变色薄膜(WO3薄膜);液晶薄膜.

今天我们针对导电薄膜做下介绍：

导电薄膜在光电子薄膜元件以及集成电路中的应用非常广泛.它是主要的负极薄膜、导线薄膜.一般对负极薄膜的要求是：

1、导电性好,方内阻小;

2、与基片或前层薄膜的附着力好;

3、接触内阻小;

4、容易进行微细加工;

5、具有良好的冲压功耗;

6、稳定性好.

金属导电薄膜:

特点:良好的导电功耗,反射率高.

材料:金、铝、银

金:最理想的导电特征,可见市吸收大,远红外高反射,基板的附着性较多;银:可见县具备很高的反射率,导电性好,与基板的附着力较多:

铝:可见县有较高的反射率,导电性良好电子膜,与基板的附着性较差.

透明导电薄膜(ITO):

透明导电薄膜因同时具备可见波谱范围内透明跟良好的导电性而广泛地应用于各个领域:窗口的透明隔热薄膜、透明负极等.

近年来各类氧化物半导体薄膜遭到注重,其中最具备代表性的是In2O3·SnO2薄膜,简称ITO薄膜(Indium tin oxide).

In2O3跟SnO2属于氧化物砷化镓,具有类似于砷化镓的性质.在In2O3中掺入少量的SnO2电子膜,可使浊度功耗得到缓解.

ITO薄膜的特征:

1、ITO薄膜中的SnO2浓度通常为8-9%;

2、ITO薄膜的电阻率随膜厚提高而增大;

3、In2o3的禁带为4eV,吸收边在310m附近,掺杂后吸收半径移,般但紫外县;4、透明县,光子的能量不足以让价电子子迸发,杂质、载流子吸收跟衍射耗损;5、ITO薄膜的纯化:溅射法、CVD法、反应蒸发法:

电子束:200℃-300℃、2-3nm/min、充氧1.3*10-Pa、100-200nm6、影响电阻率跟透射率:基板体温、蒸发速度、膜厚、老化.